RJK0353DPA-01#J0B

RJK0353DPA-01#J0B - Renesas Electronics America

Numero di parte
RJK0353DPA-01#J0B
fabbricante
Renesas Electronics America
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 35A 2WPACK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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59885 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.4466/pcs
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RJK0353DPA-01#J0B Descrizione dettagliata

Numero di parte RJK0353DPA-01#J0B
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2180pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2 mOhm @ 17.5A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-WPAK
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Peso -
Paese d'origine -

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