NP80N04KHE-E1-AY

NP80N04KHE-E1-AY - Renesas Electronics America

Numero di parte
NP80N04KHE-E1-AY
fabbricante
Renesas Electronics America
Breve descrizione
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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NP80N04KHE-E1-AY Descrizione dettagliata

Numero di parte NP80N04KHE-E1-AY
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
Paese d'origine -

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