NP35N04YUG-E1-AY - Renesas Electronics America

Numero di parte	NP35N04YUG-E1-AY
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2850pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 17.5A, 10V
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-HSON
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Peso	-
Paese d'origine	-