NP100P04PLG-E1-AY - Renesas Electronics America

Numero di parte	NP100P04PLG-E1-AY
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	320nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	15100pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
NP100P04PDG-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH 40V 100A TO-263	Dettagli
NP100P04PLG-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH 40V 100A TO-263	Dettagli
NP100P06PDG-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH 60V 100A TO-263	Dettagli
NP100P06PLG-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH 60V 100A TO-263	Dettagli