N0434N-S23-AY - Renesas Electronics America

Numero di parte	N0434N-S23-AY
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5550pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta), 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-262
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso	-
Paese d'origine	-