2SK1859-E

2SK1859-E - Renesas Electronics America

Numero di parte
2SK1859-E
fabbricante
Renesas Electronics America
Breve descrizione
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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2SK1859-E Descrizione dettagliata

Numero di parte 2SK1859-E
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 980pF @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3
Peso -
Paese d'origine -

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