PG1083.103NL - Pulse Electronics Corporation

Numero di parte	PG1083.103NL
Stato parte	Active
genere	Wirewound
Materiale: core	-
Induttanza	10.5µH
Tolleranza	±20%
Valutazione attuale	17.5A
Corrente - Saturazione	18A
Schermatura	Unshielded
Resistenza DC (DCR)	6 mOhm Max
Q @ Freq	-
Frequenza - Auto Risonanza	-
Giudizi	-
temperatura di esercizio	-40°C ~ 130°C
Frequenza - Test	-
Caratteristiche	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	Nonstandard
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Dimensione / Dimensione	0.854" L x 0.846" W (21.70mm x 21.50mm)
Altezza - Seduto (max)	0.492" (12.50mm)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
PG1001	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Dettagli
PG1002	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Dettagli
PG1003	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Dettagli
PG1004	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Dettagli
PG1005	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Dettagli
PG1006	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Dettagli
PG1007	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Dettagli
PG1008	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Dettagli
PG1009	EXSHINE	2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors	Dettagli
PG100R	PANJIT	GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST RECOVERY RECTIFIERS	Dettagli