Numero di parte | SK8403190L |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 19A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1.01mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1092pF @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 19W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 70A, 10V |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSSO |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Peso | - |
Paese d'origine | - |