FK6K02010L Descrizione dettagliata
Numero di parte |
FK6K02010L |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
4.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
2.5V, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
1730pF @ 10V |
Vgs (massimo) |
±10V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
700mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
17.5 mOhm @ 2A, 4.5V |
temperatura di esercizio |
150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
WSMini6-F1-B |
Pacchetto / caso |
6-SMD, Flat Leads |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
PRODOTTI CORRELATI PER FK6K02010L