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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array › DME50B010R
DME50B010R

DME50B010R - Panasonic Electronic Components

Numero di parte
DME50B010R
fabbricante
Panasonic Electronic Components
Breve descrizione
TRANS NPN/PNP DARL 50V SMINI5
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DME50B010R Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
234836 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1131/pcs
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DME50B010R Descrizione dettagliata

Numero di parte DME50B010R
Stato parte Active
Transistor Type NPN, PNP Complementary Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 210 @ 2mA, 10V
Potenza - Max 150mW
Frequenza - Transizione 150MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 5-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore SMini5-F3-B
Peso -
Paese d'origine -

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