2SJ058200L - Panasonic Electronic Components

Numero di parte	2SJ058200L
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 20V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta), 10W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	U-G2
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
2SJ01630RL	Panasonic Electronic Components	JFET P-CH 20MA 150MW MINI-3	Dettagli
2SJ01640RA	Panasonic Electronic Components	JFET P-CH 20MA 300MW NS-B1	Dettagli
2SJ03640QL	Panasonic Electronic Components	JFET P-CH 20MA 150MW SMINI3P	Dettagli
2SJ053600L	Panasonic Electronic Components	MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P	Dettagli
2SJ0536G0L	Panasonic Electronic Components	MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3	Dettagli
2SJ0582	KEXIN	Silicon P-channel power MOSFET	Dettagli
2SJ058200L	Panasonic Electronic Components	MOSFET P-CH 200V 2A U-G2	Dettagli
2SJ067400L	Panasonic Electronic Components	MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3	Dettagli
2SJ0674G0L	Panasonic Electronic Components	MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3	Dettagli