VEC2616-TL-W-Z - ON Semiconductor

Numero di parte	VEC2616-TL-W-Z
Stato parte	Active
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 4V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	505pF @ 20V
Potenza - Max	1W
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-28FL/VEC8
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
VEC2616-TL-H	ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8	Dettagli
VEC2616-TL-H-Z	ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8	Dettagli
VEC2616-TL-H-Z-W	ON Semiconductor	PCHNCH 4V DRIVE SERIES	Dettagli
VEC2616-TL-W	ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8	Dettagli
VEC2616-TL-W-Z	ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8	Dettagli