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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › SMMUN2116LT3G
SMMUN2116LT3G

SMMUN2116LT3G - ON Semiconductor

Numero di parte
SMMUN2116LT3G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
SMMUN2116LT3G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
469133 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0554/pcs
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SMMUN2116LT3G Descrizione dettagliata

Numero di parte SMMUN2116LT3G
Stato parte Active
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 246mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Peso -
Paese d'origine -

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