SMMBFJ177LT1G - ON Semiconductor

Numero di parte	SMMBFJ177LT1G
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)	30V
Drain to Source Voltage (Vdss)	-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	1.5mA @ 15V
Scarico corrente (Id) - max	-
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id	800mV @ 10nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11pF @ 10V (VGS)
Resistenza - RDS (On)	300 Ohm
Potenza - Max	225mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23 (TO-236AB)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SMMBF4391LT1G	ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 0.225W SOT23	Dettagli
SMMBF4393LT1G	ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3	Dettagli
SMMBFJ175LT1G	ON Semiconductor	TRANS JFET P-CH 30V SOT23	Dettagli
SMMBFJ177LT1G	ON Semiconductor	TRANS JFET P-CH SOT23	Dettagli
SMMBFJ309LT1G	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 30MA SOT23	Dettagli
SMMBFJ310LT1G	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 10MA SOT23	Dettagli
SMMBFJ310LT3G	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 10MA SOT23	Dettagli