| Numero di parte | NVMFD5483NLT1G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 668pF @ 25V |
| Potenza - Max | 3.1W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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NVMFD5483NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN | Dettagli |
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NVMFD5483NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN | Dettagli |
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NVMFD5485NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8 | Dettagli |
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