NVHL082N65S3F - ON Semiconductor

Numero di parte	NVHL082N65S3F
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	81nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3410pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	313W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3 Variant
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
NVHL027N65S3F	ON Semiconductor	SUPERFET3 650V TO247 PKG	Dettagli
NVHL040N65S3F	ON Semiconductor	SUPERFET3 650V TO247 PKG	Dettagli
NVHL072N65S3	ON Semiconductor	SUPERFET3 650V TO247 PKG	Dettagli
NVHL080N120SC1	ON Semiconductor	SIC MOS TO247-3L 80MW 120	Dettagli
NVHL082N65S3F	ON Semiconductor	SUPERFET3 650V FRFET82MO	Dettagli