| Numero di parte | NTLJD2105LTBG |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 520mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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NTLJD2104PTAG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN | Dettagli |
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NTLJD2104PTBG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN | Dettagli |
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