NTJD4105CT4G

NTJD4105CT4G - ON Semiconductor

Numero di parte
NTJD4105CT4G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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NTJD4105CT4G Descrizione dettagliata

Numero di parte NTJD4105CT4G
Stato parte Obsolete
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V, 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 630mA, 775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V
Potenza - Max 270mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Peso -
Paese d'origine -

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