| Numero di parte | NTHD3100CT1G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A, 3.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 165pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.1W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ChipFET™ |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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