NTD110N02RT4

NTD110N02RT4 - ON Semiconductor

Numero di parte
NTD110N02RT4
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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NTD110N02RT4 Descrizione dettagliata

Numero di parte NTD110N02RT4
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12.5A (Ta), 110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3440pF @ 20V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
Paese d'origine -

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