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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › NGTD23T120F2WP
NGTD23T120F2WP

NGTD23T120F2WP - ON Semiconductor

Numero di parte
NGTD23T120F2WP
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NGTD23T120F2WP Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
8970 pcs
Prezzo di riferimento
USD 2.9689/pcs
Il nostro prezzo
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NGTD23T120F2WP Descrizione dettagliata

Numero di parte NGTD23T120F2WP
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) -
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 25A
Potenza - Max -
Cambiare energia -
Tipo di input Standard
Carica del cancello -
Td (acceso / spento) @ 25 ° C -
Condizione di test -
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso Die
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Peso -
Paese d'origine -

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