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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › NGTB50N60FL2WG
NGTB50N60FL2WG

NGTB50N60FL2WG - ON Semiconductor

Numero di parte
NGTB50N60FL2WG
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
IGBT 600V 50A TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NGTB50N60FL2WG Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
5471 pcs
Prezzo di riferimento
USD 4.7911/pcs
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NGTB50N60FL2WG Descrizione dettagliata

Numero di parte NGTB50N60FL2WG
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
Potenza - Max 417W
Cambiare energia 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 220nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 100ns/237ns
Condizione di test 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 94ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3
Peso -
Paese d'origine -

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