NDT02N60ZT3G

NDT02N60ZT3G - ON Semiconductor

Numero di parte
NDT02N60ZT3G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223-4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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NDT02N60ZT3G Descrizione dettagliata

Numero di parte NDT02N60ZT3G
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 700mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 (TO-261)
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Peso -
Paese d'origine -

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