NDF02N60ZH - ON Semiconductor

Numero di parte	NDF02N60ZH
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220FP
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
NDF02N60ZG	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP	Dettagli
NDF02N60ZH	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP	Dettagli
NDF03N60ZG	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP	Dettagli
NDF03N60ZH	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP	Dettagli
NDF04N60ZG	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 4.8A TO-220FP	Dettagli
NDF04N60ZG-001	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 4.8A TO-220FP	Dettagli
NDF04N60ZH	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP	Dettagli
NDF04N62ZG	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 620V 4.4A TO220FP	Dettagli
NDF05N50ZG	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V TO-220FP	Dettagli
NDF05N50ZH	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FP	Dettagli