MVDF1N05ER2G Descrizione dettagliata
Numero di parte |
MVDF1N05ER2G |
Stato parte |
Obsolete |
Tipo FET |
2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET |
Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
50V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
300 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
12.5nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
330pF @ 25V |
Potenza - Max |
2W |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto / caso |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore |
8-SOIC |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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