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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › MMUN2132LT1G
MMUN2132LT1G

MMUN2132LT1G - ON Semiconductor

Numero di parte
MMUN2132LT1G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
MMUN2132LT1G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
67500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0228/pcs
Il nostro prezzo
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MMUN2132LT1G Descrizione dettagliata

Numero di parte MMUN2132LT1G
Stato parte Active
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 246mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Peso -
Paese d'origine -

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