MMBF0201NLT1 - ON Semiconductor

Numero di parte	MMBF0201NLT1
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	45pF @ 5V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 300mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
MMBF0201NLT1	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23	Dettagli
MMBF0201NLT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23	Dettagli
MMBF0201NT1G	ON	MMBF0201NT1G ON SOT23 New Original Stocks	Dettagli
MMBF0202P	ON	MMBF0202P ON SOT-23 New Original Stocks	Dettagli
MMBF0202PT1G	ON	MMBF0202PT1G ON SOT23 New Original Stocks	Dettagli
MMBF102	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 20MA SOT23	Dettagli
MMBF1374T1G	ON	MMBF1374T1G ON SOT-32.. New Original Stocks	Dettagli
MMBF170	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23	Dettagli
MMBF170-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3	Dettagli
MMBF170-7-F	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3	Dettagli