FDI9409-F085 - ON Semiconductor

Numero di parte	FDI9409-F085
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2980pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	94W (Tj)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I2PAK (TO-262)
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
FDI9406-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB	Dettagli
FDI9406_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB	Dettagli
FDI9409-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V	Dettagli
FDI9409_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V	Dettagli