FDG6302P

FDG6302P - ON Semiconductor

Numero di parte
FDG6302P
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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FDG6302P Descrizione dettagliata

Numero di parte FDG6302P
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 140mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 140mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.31nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12pF @ 10V
Potenza - Max 300mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6)
Peso -
Paese d'origine -

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