| Numero di parte | EFC6612R-A-TF |
|---|---|
| Stato parte | Last Time Buy |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 2.5W |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-SMD, No Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-CSP (1.77x3.54) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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EFC6601R-A-TR | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH EFCP | Dettagli |
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EFC6601R-TR | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH EFCP | Dettagli |
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