EC4401C-TL - ON Semiconductor

Numero di parte	EC4401C-TL
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	150mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.58nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7pF @ 10V
Vgs (massimo)	±10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7 Ohm @ 80mA, 4V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	4-ECSP1008
Pacchetto / caso	4-UFDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	EC4401C-TL	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 0.15A ECSP1008-4	Dettagli
	EC4407KF-TR	SANYO	EC4407KF-TR SANYO ECSP12.. New Original Stocks	Dettagli