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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › DTC123JET1
DTC123JET1

DTC123JET1 - ON Semiconductor

Numero di parte
DTC123JET1
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DTC123JET1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
DTC123JET1.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
4213 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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DTC123JET1 Descrizione dettagliata

Numero di parte DTC123JET1
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-75, SOT-416
Pacchetto dispositivo fornitore SC-75, SOT-416
Peso -
Paese d'origine -

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