BS170G

BS170G - ON Semiconductor

Numero di parte
BS170G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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BS170G Descrizione dettagliata

Numero di parte BS170G
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 200mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Peso -
Paese d'origine -

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