5LP01SP - ON Semiconductor

Numero di parte	5LP01SP
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	70mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7.4pF @ 10V
Vgs (massimo)	±10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 Ohm @ 40mA, 4V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	3-SPA
Pacchetto / caso	SC-72
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
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