| Numero di parte | 2SA2029M3T5G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500pA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Potenza - Max | 265mW |
| Frequenza - Transizione | 140MHz |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-723 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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2SA2002 | ISAHAYA | FOR HIGH CURRENT APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE MICRO(FRAME TYPE) | Dettagli |
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