| Numero di parte | L225J3R0 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Resistenza (ohm) | 3 |
| Tolleranza | ±5% |
| Potenza (Watt) | 225W |
| Composizione | Wirewound |
| Coefficiente di temperatura | ±400ppm/°C |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
| Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Safety |
| Rivestimento, Tipo di alloggiamento | Vitreous Enamel Coated |
| Caratteristica di montaggio | Brackets (not included) |
| Dimensione / Dimensione | 1.126" Dia x 10.500" L (28.60mm x 266.70mm) |
| Altezza - Seduto (max) | - |
| Stile di piombo | Solder Lugs |
| Pacchetto / caso | Radial, Tubular |
| Tasso di fallimento | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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L2203N | IR | L2203N IR TO220 New Original Stocks | Dettagli |
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L225 | POLYFET | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR | Dettagli |
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L225J100 | Ohmite | RES CHAS MNT 100 OHM 5% 225W | Dettagli |
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L225J100E | Ohmite | RES CHAS MNT 100 OHM 5% 225W | Dettagli |
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L225J100K | Ohmite | RES CHAS MNT 100K OHM 5% 225W | Dettagli |
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L225J100KE | Ohmite | RES CHAS MNT 100K OHM 5% 225W | Dettagli |
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L225J10K | Ohmite | RES CHAS MNT 10K OHM 5% 225W | Dettagli |
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L225J10KE | Ohmite | RES CHAS MNT 10K OHM 5% 225W | Dettagli |
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L225J10R | Ohmite | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 225W | Dettagli |
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L225J10RE | Ohmite | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 225W | Dettagli |
