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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati › PBLS2002S,115
PBLS2002S,115

PBLS2002S,115 - NXP USA Inc.

Numero di parte
PBLS2002S,115
fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
PBLS2002S,115 Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
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PBLS2002S,115 Descrizione dettagliata

Numero di parte PBLS2002S,115
Stato parte Obsolete
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 20V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Corrente - Limite del collettore (max) 1µA, 100nA
Frequenza - Transizione 100MHz
Potenza - Max 1.5W
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Peso -
Paese d'origine -

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