BLF6G27LS-50BN,118 - NXP USA Inc.

Numero di parte: BLF6G27LS-50BN,118
fabbricante: NXP USA Inc.
Breve descrizione: TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - RF
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Numero di parte	BLF6G27LS-50BN,118
Stato parte	Active
Transistor Type	LDMOS (Dual)
Frequenza	2.5GHz ~ 2.7GHz
Guadagno	16.5dB
Voltaggio - Test	28V
Valutazione attuale	12A
Figura di rumore	-
Corrente - Test	430mA
Potenza - Uscita	3W
Tensione - Rated	65V
Pacchetto / caso	SOT-1112B
Pacchetto dispositivo fornitore	CDFM6
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BLF6G20-110	NXP	BLF6G20-110 NXP SMD New Original Stocks	Dettagli
BLF6G20-110,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A	Dettagli
BLF6G20-180PN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A	Dettagli
BLF6G20-180RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A	Dettagli
BLF6G20-230P	NXP USA Inc.	IC BASESTATION FINAL SOT502A	Dettagli
BLF6G20-230PRN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A	Dettagli
BLF6G20-230PRN,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A	Dettagli
BLF6G20-40,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.8DB SOT608A	Dettagli
BLF6G20-45,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A	Dettagli
BLF6G20-45,135	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A	Dettagli