BFT93,215 - NXP USA Inc.

Numero di parte	BFT93,215
Stato parte	Last Time Buy
Transistor Type	PNP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	12V
Frequenza - Transizione	5GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)	2.4dB @ 500MHz
Guadagno	-
Potenza - Max	300mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 30mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	35mA
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-236AB (SOT23)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BFT25	NXP	BFT25 NXP SOT23 New Original Stocks	Dettagli
BFT25,215	NXP USA Inc.	TRANS RF NPN 5V 2.3GHZ SOT23-3	Dettagli
BFT25A	PHILIPS	BFT25A PHILIPS SOT23 New Original Stocks	Dettagli
BFT25A,215	NXP USA Inc.	TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23	Dettagli
BFT28C	CENTRAL	Small Signal Transistors	Dettagli
BFT29	EXSHINE	Medium Power Amplifiers and Switches	Dettagli
BFT30	EXSHINE	Medium Power Amplifiers and Switches	Dettagli
BFT31	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package.	Dettagli
BFT32	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package	Dettagli
BFT33A	SEME-LAB	NPN SILICON TRANSISTOR	Dettagli