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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - RF › A2T20H330W24NR6
A2T20H330W24NR6

A2T20H330W24NR6 - NXP USA Inc.

Numero di parte
A2T20H330W24NR6
fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
A2T20H330W24NR6 Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1400 pcs
Prezzo di riferimento
USD 117.49847/pcs
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A2T20H330W24NR6 Descrizione dettagliata

Numero di parte A2T20H330W24NR6
Stato parte Active
Transistor Type LDMOS
Frequenza 1.88GHz ~ 2.025GHz
Guadagno 15.9dB
Voltaggio - Test 28V
Valutazione attuale 10µA
Figura di rumore -
Corrente - Test 700mA
Potenza - Uscita 229W
Tensione - Rated 65V
Pacchetto / caso OM-1230-4L2L
Pacchetto dispositivo fornitore OM-1230-4L2L
Peso -
Paese d'origine -

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