PSMN5R2-60YLX Descrizione dettagliata
Numero di parte |
PSMN5R2-60YLX |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
39.4nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
6319pF @ 25V |
Vgs (massimo) |
±20V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
195W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
5.2 mOhm @ 25A, 10V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso |
SC-100, SOT-669 |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
PRODOTTI CORRELATI PER PSMN5R2-60YLX