PSMN5R2-60YLX

PSMN5R2-60YLX - Nexperia USA Inc.

Numero di parte
PSMN5R2-60YLX
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V LFPAK56
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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Prezzo di riferimento
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PSMN5R2-60YLX Descrizione dettagliata

Numero di parte PSMN5R2-60YLX
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39.4nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6319pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso SC-100, SOT-669
Peso -
Paese d'origine -

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