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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati › PRMH10Z
PRMH10Z

PRMH10Z - Nexperia USA Inc.

Numero di parte
PRMH10Z
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
PRMH10/SOT1268/DFN1412-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
PRMH10Z Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3253960 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0506/pcs
Il nostro prezzo
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PRMH10Z Descrizione dettagliata

Numero di parte PRMH10Z
Stato parte Active
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA
Frequenza - Transizione 230MHz
Potenza - Max 480mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-XFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore DFN1412-6
Peso -
Paese d'origine -

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