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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati › PRMD2Z
PRMD2Z

PRMD2Z - Nexperia USA Inc.

Numero di parte
PRMD2Z
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
PRMD2/SOT1268/DFN1412-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
PRMD2Z Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2921922 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.05635/pcs
Il nostro prezzo
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PRMD2Z Descrizione dettagliata

Numero di parte PRMD2Z
Stato parte Active
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 1µA
Frequenza - Transizione 230MHz
Potenza - Max 480mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-XFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore DFN1412-6
Peso -
Paese d'origine -

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