Numero di parte | PMV65XPVL |
---|---|
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 4V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 744pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 480mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Peso | - |
Paese d'origine | - |