PMGD280UN,115

PMGD280UN,115 - Nexperia USA Inc.

Numero di parte
PMGD280UN,115
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Codice data
New
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Prezzo di riferimento
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PMGD280UN,115 Descrizione dettagliata

Numero di parte PMGD280UN,115
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 870mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.89nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 20V
Potenza - Max 400mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSSOP
Peso -
Paese d'origine -

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