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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › PDTB123YQAZ
PDTB123YQAZ

PDTB123YQAZ - Nexperia USA Inc.

Numero di parte
PDTB123YQAZ
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
PDTB123YQAZ Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
PDTB123YQAZ.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
500093 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0533/pcs
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PDTB123YQAZ Descrizione dettagliata

Numero di parte PDTB123YQAZ
Stato parte Active
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 150MHz
Potenza - Max 325mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 3-XDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore DFN1010D-3
Peso -
Paese d'origine -

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