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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array › PBSS5112PAP,115
PBSS5112PAP,115

PBSS5112PAP,115 - Nexperia USA Inc.

Numero di parte
PBSS5112PAP,115
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
PBSS5112PAP,115 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
PBSS5112PAP,115.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
121158 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.2239/pcs
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PBSS5112PAP,115 Descrizione dettagliata

Numero di parte PBSS5112PAP,115
Stato parte Active
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 480mV @ 100mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 2V
Potenza - Max 510mW
Frequenza - Transizione 100MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore DFN2020-6
Peso -
Paese d'origine -

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