| Numero di parte | BUK9Y104-100B,115 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14.8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1139pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 59W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
| Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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BUK9Y104-100B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK | Dettagli |
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BUK9Y107-80EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK | Dettagli |
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BUK9Y11-30B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK | Dettagli |
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BUK9Y11-30B/C1,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH LFPAK | Dettagli |
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BUK9Y11-80EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK | Dettagli |
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BUK9Y113-100E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V LFPAK | Dettagli |
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BUK9Y12-100E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V LFPAK | Dettagli |
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BUK9Y12-40E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V LFPAK | Dettagli |
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BUK9Y12-40E/GFX | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH LFPAK | Dettagli |
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BUK9Y12-55B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK | Dettagli |
