| Numero di parte | BUK9606-40B,118 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4901pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 203W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 25A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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BUK9604-40A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | Dettagli |
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BUK9605-30A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | Dettagli |
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BUK9606-40B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | Dettagli |
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BUK9606-55A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Dettagli |
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BUK9606-55B | EXSHINE | N-channel TrenchMOSTM logic level FET | Dettagli |
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BUK9606-75B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | Dettagli |
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