BUK7Y3R0-40HX - Nexperia USA Inc.

Numero di parte	BUK7Y3R0-40HX
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	59nC @ 10V
Vgs (massimo)	+20V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5449pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	172W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso	SC-100, SOT-669
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BUK7Y07-30B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK	Dettagli
BUK7Y08-40B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK	Dettagli
BUK7Y08-40B/C,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK	Dettagli
BUK7Y10-30B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK	Dettagli
BUK7Y102-100B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK	Dettagli
BUK7Y113-100EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK	Dettagli
BUK7Y12-100EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK	Dettagli
BUK7Y12-40EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK	Dettagli
BUK7Y12-55B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK	Dettagli
BUK7Y12-80EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V LFPAK	Dettagli